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化学工学会 第82年会 (東京 2017)

Last modified: 2017-02-20 10:00:00

講演プログラム検索結果 : Shimogaki Yukihiro : 7件

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ローマ字氏名 が『Shimogaki Yukihiro』と一致する講演：7件該当しました。
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講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
Day 2
9:00～ 9:40		E201[Invited lecture] Analysis and Design of CVD/ALD processes Based on Chemical Reaction Engineering
(U. Tokyo) (Ful)Shimogaki Yukihiro
Chemical Reaction Engineering
CVD
Process Design
K-2838
Day 2
10:20～ 10:40		E205[Requested talk] Reaction Mechanism and Growth-rate Distribution in Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy of GaN
(U. Tokyo) *(Ful)Sugiyama Masakazu, (Ful)Momose Takeshi, (Politecnico Di Milano) Ravasio Stefano, Cavallotti Carlo, (U. Tokyo) (Ful)Shimogaki Yukihiro
GaN
MOVPE
reaction mechanism
K-2324
第 2 日
10:20～ 10:40		G205超臨界流体を用いた三次元立体構造キャパシタ形成プロセスの開発
(東大院工) ○(学)チョウ ユウ・ (正)下山 裕介・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
supercritical fluid deposition
3-demontional
capacitor
8-e151
第 3 日
11:20～ 11:40		G308SiC-CVIプロセスの合理設計による超均一含浸の実現および複合材料特性への影響
(東大院工) ○(学)嶋 紘平・ (学)佐藤 登・ (学)舩門 佑一・ (学)中 智明・ (IHI基盤研) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
CVD
SiC
CMC
5-h552
第 3 日
11:40～ 12:00		G309モノメチルトリクロロシランを用いたSiC-CVDプロセス最適化のための総括反応モデル構築 (4)
(東大院工) ○(学)舩門 佑一・ (学)嶋 紘平・ (学)佐藤 登・ (学)中 智明・ (正)福島 康之・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
SiC
Reaction model
CVD
5-h664
第 3 日
13:20～ 15:20		PE383SiC-CVIプロセスにおけるマルチスケールでの均一成長を目指したHClガス添加及び高濃度原料供給効果
(東大院工) ○(学)中 智明・ (学)嶋 紘平・ (学)佐藤 登・ (学)舩門 佑一・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
CVD
SiC
5-h478
第 3 日
13:20～ 15:20		PE386熱CVD法によるTi1-xAlxNの合成と評価
(東大工) ○(学)佐藤 宏樹・ 平原 智子・ (京セラ) 久保 隼人・ (東大工) (正)百瀬 健・ (京セラ) 谷渕 栄仁・ (東大工) (正)霜垣 幸浩
CVD
coating
TiAlN
5-h321

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