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化学工学会 第82年会 (東京 2017)

Last modified: 2017-02-20 10:00:00

講演プログラム検索結果 : 成長 : 7件

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講演題目 が『成長』を含む講演：7件該当しました。
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講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
Day 2
10:20～ 10:40		E205[Requested talk] Reaction Mechanism and Growth-rate Distribution in Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy of GaN
GaN
MOVPE
reaction mechanism
K-2324
Day 2
11:20～ 11:40		E208[Requested talk] Surface reaction design for silicon epitaxial growth based on the reactor simulation
silicon epitaxial growth rate
trichlorosilane
silicon hydride
K-214
第 2 日
14:20～ 14:40		H217浮遊微小液滴からの結晶成長過程のその場観測(2)
(群大理工) (学·技基)松岡 慧・ (群大院) (学·技基)白鳥 雄大・ ○(正)原野 安土
Levitated droplet
Crystal Growth
Electrodynamic Balance
2-f134
Day 2
16:40～ 17:00		E224[Requested talk] Effects of N2O Addition during the Growth of ZnO Films by Chemical Vapor Deposition Using a Catalytic Reaction
chemical vapor deposition
catalytic reactions
ZnO films
K-2112
第 3 日
13:20～ 15:20		PE314アクリル共重合体樹脂の湿式凝固過程で形成されるボイド成長に関する研究
acrylate resin
wet coagulation
2-a643
第 3 日
13:20～ 15:20		PE365浮遊触媒化学気相成長法による単層カーボンナノチューブとその繊維状集合体の連続合成
single-wall carbon nanotubes
floating catalyst chemical vapor deposition
reaction field control
5-h273
第 3 日
13:20～ 15:20		PE383SiC-CVIプロセスにおけるマルチスケールでの均一成長を目指したHClガス添加及び高濃度原料供給効果
(東大院工) ○(学)中 智明・ (学)嶋 紘平・ (学)佐藤 登・ (学)舩門 佑一・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
CVD
SiC
5-h478

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化学工学会 第82年会 (東京 2017)

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