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化学工学会 第82年会 (東京 2017)

Last modified: 2017-02-20 10:00:00

講演プログラム検索結果 : CVD : 11件

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キーワード が『CVD』と一致する講演:11件該当しました。
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講演
時刻
講演
番号
講演題目/発表者キーワード分類
番号
受理
番号
Day 2
9:009:40
E201[Invited lecture] Analysis and Design of CVD/ALD processes Based on Chemical Reaction Engineering
(U. Tokyo) (Ful)Shimogaki Yukihiro
Chemical Reaction Engineering
CVD
Process Design
K-2838
Day 2
14:2014:40
E217[Requested talk] Synthesis of carbon nitride using microwave plasma CVD
(Gifu U.) *Tanaka Ippei, (Chiba Inst. Tech.) Sakamoto Yukihiro
plasma
CVD
carbon nitride
K-2477
第 3 日
9:2011:20
PD334シリカ複合膜の炭化水素分離
(芝浦工大工) ○(学)石井 克典吉田 真奈美(正)野村 幹弘
hydrocarbon
CVD
silica membrane
4-a132
第 3 日
9:2011:20
PD372耐酸性水素透過シリカ膜の開発
(芝浦工大工) ○(学)柴田 愛(正)野村 幹弘
hydrogen
CVD
silica membrane
4-a122
第 3 日
9:2011:20
PD376CVDシリカ膜の実用化に向けた検討
(RITE) ○(正)浦井 宏美(正)西野 仁(正)西田 亮一(正)中尾 真一
silica membrane
CVD
gas separation
4-a615
第 3 日
11:0011:20
G307銅箔上での大面積グラフェン合成に向けた化学エッチング条件の検討
(福岡大工) ○(正)吉原 直記(正)野田 賢
Graphene
CVD
Chemical etching
5-h476
第 3 日
11:2011:40
G308SiC-CVIプロセスの合理設計による超均一含浸の実現および複合材料特性への影響
(東大院工) ○(学)嶋 紘平(学)佐藤 登(学)舩門 佑一(学)中 智明(IHI基盤研) (正)福島 康之(東大院工) (正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
CVD
SiC
CMC
5-h552
第 3 日
11:4012:00
G309モノメチルトリクロロシランを用いたSiC-CVDプロセス最適化のための総括反応モデル構築 (4)
(東大院工) ○(学)舩門 佑一(学)嶋 紘平(学)佐藤 登(学)中 智明(正)福島 康之(正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
SiC
Reaction model
CVD
5-h664
第 3 日
13:2015:20
PE383SiC-CVIプロセスにおけるマルチスケールでの均一成長を目指したHClガス添加及び高濃度原料供給効果
(東大院工) ○(学)中 智明(学)嶋 紘平(学)佐藤 登(学)舩門 佑一(IHI) (正)福島 康之(東大院工) (正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
CVD
SiC
5-h478
第 3 日
13:2015:20
PE386熱CVD法によるTi1-xAlxNの合成と評価
(東大工) ○(学)佐藤 宏樹平原 智子(京セラ) 久保 隼人(東大工) (正)百瀬 健(京セラ) 谷渕 栄仁(東大工) (正)霜垣 幸浩
CVD
coating
TiAlN
5-h321
第 3 日
14:0514:55
X310高速噴流を使用したプラズマCVD中でのシリコン高速製膜
(岐阜大工) (正)西田 哲
CVD
silicon
high deposition rate
HQ-21109

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化学工学会 第82年会 (東京 2017)


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