English page
SCEJ

化学工学会 第51回秋季大会 (2020)

Last modified: 2023-05-16 19:47:30

講演プログラム（会場・日程別） : K会場・第2日

全てのセッションはオンライン学会会場で実施されます。
(9/10) 講演要旨を公開しました(参加登録者、ご招待者限定)。講演番号をクリックしてください。
(ID/PWは事前参加登録者には9/10に,当日参加登録者には9/23に(オンライン学会会場のID/PWと併せて)お知らせしました。)
(8/8) SY-69のフラッシュ発表は中止となりました。
(8/24,8/27) SY-74のX306,X307、HQ-11のD301の時間が変わりました。

K 会場() ・ 第 2 日(9月25日(金))

ST-22

講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
ST-22 [部会横断型シンポジウム]
CVD・ドライプロセス －構造・機能制御の反応工学－
(9:20～10:20) (座長 森 伸介)
9:20～ 9:40K202固体原料併用PECVD法における分散媒が合成された複合薄膜に及ぼす影響
(広大院先進理工) ○(正)島田 学・ (広大院工) (技基)高橋 一真・ (広大院先進理工) (正)久保 優
titanium dioxide
carbon nanotube
photocatalyst
ST-22213
9:40～ 10:00K203直接噴霧型管状火炎を用いたナノ構造化微粒子の合成
(広大先進理工) ○(学)平野 知之・ (正·修習)荻 崇
Nanostructured particle
Flame spray pyrolysis
Tubular flame
ST-2255
10:00～ 10:20K204管状火炎を用いた金属微粒子合成
(広大工) ○(学)吉川 潤・ (学)平野 知之・ (正·修習)荻 崇
Metal particles
Flame spray pyrolysis
Tubular flame
ST-22174
10:20～ 10:40休憩
(10:40～12:00) (座長 島田 学)
10:40～ 11:00K206ペロブスカイト薄膜の中心金属種が構造に与える影響
(京大工) ○(学·技基)松田 萌・ (学)村上 誉紀・ (学)松村 南月・ (正)河瀬 元明
CVD
perovskite
central metals
ST-22414
11:00～ 11:20K207火炎噴霧熱分解法によるNi担持CeO2のNi微粒化と高担持量化
(山形大院理工) (正)藤原 翔
Ni
CeO2
Flame spray pyrolysis
ST-22686
11:20～ 12:00K208[展望講演] プラズマ成膜技術の将来展望
(東北大NICHe) 後藤 哲也
plasma enhanced deposition
plasma equipment design
reactive species control
ST-22110
(13:00～14:20) (座長 西田 哲)
13:00～ 13:20K213[招待講演] 高品質GaN基板を実現するHVPE成長新技術;マスクレス3D法
(サイオクス) 吉田 丈洋
GaN substrate,
HVPE
low dislocation density
ST-22112
13:20～ 13:40K214MTS/H2を原料としたSiC-CVDプロセスにおけるSiCl4添加効果の検討
(東大院工) ○(学)大高 雄平・ (学)安治 遼祐・ (学)佐藤 登・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)出浦 桃子・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
CVD
SiC
Recycle
ST-22556
13:40～ 14:00K215テトラメチルシランを用いた塩素フリーな化学気相含浸法によるSiCf/SiCの製造
(東大院工) ○(学)安治 遼祐・ (学)大高 雄平・ (学)佐藤 登・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)出浦 桃子・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
SiC
chemical vapor infiltration
tetramethylsilane
ST-22822
14:00～ 14:20K216二酸化炭素を用いた超臨界溶体急速膨張(RESS)法による有機薄膜創製と薄膜特性評価
(金沢大院自然) ○(学)坂本 有衣・ 小林 貴紀・ 清澤 匠・ (学)釜田 若奈・ (金沢大理工) (正)内田 博久
RESS
Organic thin films
Supercritical CO2
ST-22781
(14:20～15:20) (座長 川上 雅人)
14:20～ 14:40K217TiAlN-CVDプロセスの反応モデル構築に向けた速度過程解析(2)
(東大院工) ○(学)山口 潤・ 平原 智子・ (京セラ) (法)久保 隼人・ (東大院工) (正)出浦 桃子・ (正)百瀬 健・ (京セラ) (法)谷渕 栄仁・ (東大院工) (正)霜垣 幸浩
CVD
TiAlN
cutting tool
ST-22153
14:40～ 15:00K218ミストCVD法によるAlOx薄膜の作製とFETゲート絶縁膜への応用
(埼玉大院理工) ○(学)Arifuzzaman Rajib・ 志田 知洋・ Abdul Kuddus・ 上野 啓司・ 白井 肇
mist-CVD
AlOx
ST-22306
15:00～ 15:20K219超音波霧化法によるSiO2, Al2O3絶縁薄膜の作製
(東大院工) ○(学)木下 清佳・ (東大環安研セ) (正)坂井 延寿・ (東大環安セ/東大院工) (正)辻 佳子
insulator
thin-film-transistor
mist chemical vapor deposition
ST-22135

講演発表プログラム
講演プログラム一覧(横長)  (同 縦長表示)
セッション一覧
講演プログラムの検索
化学工学会 第51回秋季大会 (2020)

(C) 2023 公益社団法人化学工学会 The Society of Chemical Engineers, Japan. All rights reserved.
For more information contact 化学工学会 第51回秋季大会 実行委員会
E-mail: inquiry-51fwww3.scej.org