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化学工学会 第82年会 (東京 2017)

Last modified: 2017-02-20 10:00:00

講演プログラム(会場・日程別) : G会場・第3日

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G 会場(教室棟 4階 406)第 3 日(3月8日(水))

5

講演
時刻
講演
番号
講演題目/発表者キーワード分類
番号
受理
番号
5. 反応工学
(9:00~10:20) (座長 福島 康之吉原 直記)
9:009:20G301マイクロバブル誘起される超音波キャビテーションからのラジカル生成機構に関する研究
microbubble
ultrasound
radical
5-b179
9:209:40G302Fe/TiO2光触媒のCO2還元性能向上のためのFe担持条件および還元剤検討
Photocatalyst
CO2 Reduction Performance
Reductants
5-c104
9:4010:00G303CHAゼオライト膜によるエタノール脱水反応促進
zeolite
ethanol dehydration
membrane reactor
5-d774
10:0010:20G304管壁型メンブレンリアクターによるアンモニア低温分解
wall-tube reactor
palladium membrane
ammonia
5-d776
(10:20~12:00) (座長 村上 能規伊藤 直次)
10:2010:40G305ディーゼルエンジンにおけるカーボンナノチューブ合成に対する燃料種影響生成機構考察
Carbon nanotube
Diesel engine
Growth mechanism
5-h86
10:4011:00G306Fabrication of Ag-TiO2 nanocomposite films via one-step gas-phase deposition and their characterizations after heat treatment processes
PECVD
PVD
photocatalytic activity
5-h243
11:0011:20G307銅箔上での大面積グラフェン合成に向けた化学エッチング条件検討
Graphene
CVD
Chemical etching
5-h476
11:2011:40G308SiC-CVIプロセス合理設計による超均一含浸実現および複合材料特性への影響
CVD
SiC
CMC
5-h552
11:4012:00G309モノメチルトリクロロシランを用いたSiC-CVDプロセス最適化のための総括反応モデル構築 (4)
(東大院工) ○(学)舩門 佑一(学)嶋 紘平(学)佐藤 登(学)中 智明(正)福島 康之(正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
SiC
Reaction model
CVD
5-h664

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