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化学工学会 第82年会 (東京 2017)

Last modified: 2017-02-20 10:00:00

講演プログラム検索結果 : Noda Suguru : 14件

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ローマ字氏名 が『Noda Suguru』と一致する講演：13件該当しました。
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講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
第 1 日
13:20～ 15:20		PA156急速蒸着法によるSi-Cu自立膜の高速作製とリチウム二次電池負極応用
(早大先進理工) ○(学)橋爪 裕太・ (学)青井 慈喜・ (早大高等研) (正)杉目 恒志・ (早大先進理工) (正)大沢 利男・ (正)野田 優
lithium secondary batteries
silicon anodes
rapid vapor deposition
9-e246
第 1 日
13:20～ 15:20		PA157耐熱基材上への急速蒸着と機械剥離による太陽電池用大粒径多結晶Si膜の作製
(早大先進理工) ○(学)石嶋 直也・ (学)藤田 誠・ (正)大沢 利男・ (正)杉目 恒志・ (正)野田 優
poly-crystalline silicon films
crystal growth
solar cells
9-e425
第 1 日
13:20～ 15:20		PA159単結晶薄膜 Si 太陽電池作製のための2層多孔質Si基板のナノ表面制御と超高速成膜の評価
(東工大応化) ○(学)松浦 明・ (学)高澤 千明・ (早大先進理工) (学)藤田 誠・ (正)長谷川 馨・ (正)野田 優・ (東工大応化) (正)伊原 学
Solar cell
Mono crystal
Thin film
9-e630
第 1 日
13:20～ 15:20		PA163カーボンナノチューブとの複合化によるチタン酸リチウムの充放電速度の向上
(早大先進理工) ○(学)本田 陽一郎・ (学)山片 豪・ (正)野田 優
lithium ion batteries
lithium titanate
carbon nanotubes
9-e370
Day 2
9:00～ 12:00		   Chair: Noda Suguru
E201[Invited lecture] Analysis and Design of CVD/ALD processes Based on Chemical Reaction Engineering
(U. Tokyo) (Ful)Shimogaki Yukihiro
Chemical Reaction Engineering
CVD
Process Design
K-2838
E203[Invited lecture] Cat-CVD and Its Development to Various Fields
(JAIST) Matsumura Hideki
Thin Film Technology
Cat-CVD
Cat-doping
K-282
E205[Requested talk] Reaction Mechanism and Growth-rate Distribution in Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy of GaN
(U. Tokyo) *(Ful)Sugiyama Masakazu, (Ful)Momose Takeshi, (Politecnico Di Milano) Ravasio Stefano, Cavallotti Carlo, (U. Tokyo) (Ful)Shimogaki Yukihiro
GaN
MOVPE
reaction mechanism
K-2324
E206[Requested talk] Plasma decomposition of hexamethyldisiloxane, oxygen, and ammonia for coating a polymer substrate with silica-based film
(Kyoto U.) (Ful)Kawase M.
Plasma CVD
silica-based gas-barrier film
HMDSO
K-2740
E207[Requested talk] B-atom release from metal wires boronized by non-explosive boron compounds
(Shizuoka U.) Umemoto Hironobu
chemical vapor deposition
hot wire
boron atoms
K-217
E208[Requested talk] Surface reaction design for silicon epitaxial growth based on the reactor simulation
(Yokohama Nat. U.) *(Ful)Habuka Hitoshi, Watanabe Toru, Yamada Ayami, Saito Ayumi, Sakurai Ayumi
silicon epitaxial growth rate
trichlorosilane
silicon hydride
K-214
E209[Requested talk] CVD and ALD precursor candidates for transition metal film deposition
(Gas-Phase Growth) Machida Hideaki
Transition metal film
Amidinate precursor
Ethyl derivatives
K-2157
第 2 日
13:20～ 15:20		PC254カーボンナノチューブ-Al箔複合集電体の開発と電気化学キャパシタ応用
(早大先進理工) ○(学)富永 達也・ (早大高等研) (正)杉目 恒志・ (デンソー) (法)太田 アウン・ (法)大島 久純・ (早大先進理工) (正)野田 優
carbon nanotubes
aluminum foils
electrochemical capacitors
12-k398
第 2 日
13:20～ 15:20		PC256ビーズ上への触媒の湿式担持とサブミリメータ長カーボンナノチューブの流動層合成
(早大先進理工) ○(学)前田 里沙・ (早大高等研) (正)杉目 恒志・ (早大先進理工) (正)大沢 利男・ (正)野田 優
carbon nanotubes
fluidized bed
wet-preparation of catalyst
12-k256
Day 2
17:00～ 17:20		E225[Requested talk] Engineering Carbon Nanotube Synthesis: Catalyst Screening, Identification of Reactive Species, and Rational Reactor Design
(Waseda U.) (Ful)Noda Suguru
carbon nanotubes
chemical vapor deposition
rational design and development
K-219
第 3 日
13:20～ 15:20		PE359単層カーボンナノチューブの火炎合成と触媒供給・反応場制御
(早大先進理工) ○(学)岡田 翔平・ (早大高等研) (正)杉目 恒志・ (早大先進理工) (正)大沢 利男・ (富士フイルム) (法)片岡 祥平・ (法)五十嵐 達也・ (早大先進理工) (正)野田 優
single-wall carbon nanotubes
flame synthesis
catalyst supply control
5-h178
第 3 日
13:20～ 15:20		PE365浮遊触媒化学気相成長法による単層カーボンナノチューブとその繊維状集合体の連続合成
(早大先進理工) ○(学)並木 克也・ (早大高等研) (正)杉目 恒志・ (早大先進理工) (正)大沢 利男・ (正)野田 優
single-wall carbon nanotubes
floating catalyst chemical vapor deposition
reaction field control
5-h273
第 3 日
13:20～ 15:20		PE371酸化剤添加によるカーボンナノチューブ合成の安定化:水蒸気と二酸化炭素
(早大先進理工) ○(学)佐藤 俊裕・ (早大高等研) (正)杉目 恒志・ (早大先進理工) (正)野田 優
carbon nanotubes
catalytic chemical vapor deposition
oxidizing additives
5-h211
第 3 日
13:20～ 15:20		PE375絶縁体基板上での金属薄膜のクロロホルムとの反応によるグラフェンへの変換
(早大先進理工) ○(学)大橋 慧・ (学)秋葉 祥惠・ (早大高等研) (正)杉目 恒志・ (早大先進理工) (正)大沢 利男・ (正)野田 優
graphene films
dry-etching
chloroform
5-h209
第 3 日
13:20～ 15:20		PE379セラミックビーズへの触媒の気相担持と長尺カーボンナノチューブの流動層合成
(早大先進理工) ○(学)吉田 昌広・ (正)大沢 利男・ (早大高等研) (正)杉目 恒志・ (早大先進理工) (正)野田 優
carbon nanotubes
fluidized bed
chemical vapor deposition
5-h251
第 3 日
13:20～ 15:20		PE384ミリメータ長カーボンナノチューブのアルミニウム箔上への直接合成
(早大先進理工) ○(学)三浦 正太・ (早大高等研) (正)杉目 恒志・ (デンソー) (法)太田 アウン・ (法)大島 久純・ (早大先進理工) (正)野田 優
carbon nanotubes
aluminum substrate
chemical vapor deposition
5-h589

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化学工学会 第82年会 (東京 2017)

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