K会場・第2日 - 講演プログラム（会場・日程別） - 化学工学会第51回秋季大会 (2020)

`化学工学会第51回秋季大会 (2020)`

Last modified: 2023-05-16 19:47:30

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講演プログラム（会場・日程別） : K会場・第2日

全てのセッションはオンライン学会会場で実施されます。
(9/10) 講演要旨を公開しました(参加登録者、ご招待者限定)。講演番号をクリックしてください。
(ID/PWは事前参加登録者には9/10に,当日参加登録者には9/23に(オンライン学会会場のID/PWと併せて)お知らせしました。)
(8/8) SY-69のフラッシュ発表は中止となりました。
(8/24,8/27) SY-74のX306,X307、HQ-11のD301の時間が変わりました。

K 会場() ・第 2 日(9月25日(金))

ST-22

講演時刻	講演番号	講演題目／発表者	キーワード	分類番号	受理番号
ST-22 [部会横断型シンポジウム] CVD・ドライプロセス－構造・機能制御の反応工学－
(9:20～10:20) (座長森伸介)
9:20～ 9:40	K202	固体原料併用PECVD法における分散媒が合成された複合薄膜に及ぼす影響 (広大院先進理工) ○(正)島田学・ (広大院工) (技基)高橋一真・ (広大院先進理工) (正)久保優	titanium dioxide carbon nanotube photocatalyst	ST-22	213
9:40～ 10:00	K203	直接噴霧型管状火炎を用いたナノ構造化微粒子の合成 (広大先進理工) ○(学)平野知之・ (正·修習)荻崇	Nanostructured particle Flame spray pyrolysis Tubular flame	ST-22	55
10:00～ 10:20	K204	管状火炎を用いた金属微粒子合成 (広大工) ○(学)吉川潤・ (学)平野知之・ (正·修習)荻崇	Metal particles Flame spray pyrolysis Tubular flame	ST-22	174
10:20～ 10:40		休憩
(10:40～12:00) (座長島田学)
10:40～ 11:00	K206	ペロブスカイト薄膜の中心金属種が構造に与える影響 (京大工) ○(学·技基)松田萌・ (学)村上誉紀・ (学)松村南月・ (正)河瀬元明	CVD perovskite central metals	ST-22	414
11:00～ 11:20	K207	火炎噴霧熱分解法によるNi担持CeO₂のNi微粒化と高担持量化 (山形大院理工) (正)藤原翔	Ni CeO2 Flame spray pyrolysis	ST-22	686
11:20～ 12:00	K208	[展望講演] プラズマ成膜技術の将来展望 (東北大NICHe) 後藤哲也	plasma enhanced deposition plasma equipment design reactive species control	ST-22	110
(13:00～14:20) (座長西田哲)
13:00～ 13:20	K213	[招待講演] 高品質GaN基板を実現するHVPE成長新技術;マスクレス3D法 (サイオクス) 吉田丈洋	GaN substrate, HVPE low dislocation density	ST-22	112
13:20～ 13:40	K214	MTS/H₂を原料としたSiC-CVDプロセスにおけるSiCl₄添加効果の検討 (東大院工) ○(学)大高雄平・ (学)安治遼祐・ (学)佐藤登・ (IHI) (正)福島康之・ (東大院工) (正)出浦桃子・ (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	CVD SiC Recycle	ST-22	556
13:40～ 14:00	K215	テトラメチルシランを用いた塩素フリーな化学気相含浸法によるSiC_f/SiCの製造 (東大院工) ○(学)安治遼祐・ (学)大高雄平・ (学)佐藤登・ (IHI) (正)福島康之・ (東大院工) (正)出浦桃子・ (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	SiC chemical vapor infiltration tetramethylsilane	ST-22	822
14:00～ 14:20	K216	二酸化炭素を用いた超臨界溶体急速膨張(RESS)法による有機薄膜創製と薄膜特性評価 (金沢大院自然) ○(学)坂本有衣・小林貴紀・清澤匠・ (学)釜田若奈・ (金沢大理工) (正)内田博久	RESS Organic thin films Supercritical CO2	ST-22	781
(14:20～15:20) (座長川上雅人)
14:20～ 14:40	K217	TiAlN-CVDプロセスの反応モデル構築に向けた速度過程解析(2) (東大院工) ○(学)山口潤・平原智子・ (京セラ) (法)久保隼人・ (東大院工) (正)出浦桃子・ (正)百瀬健・ (京セラ) (法)谷渕栄仁・ (東大院工) (正)霜垣幸浩	CVD TiAlN cutting tool	ST-22	153
14:40～ 15:00	K218	ミストCVD法によるAlOx薄膜の作製とFETゲート絶縁膜への応用 (埼玉大院理工) ○(学)Arifuzzaman Rajib・志田知洋・ Abdul Kuddus・上野啓司・白井肇	mist-CVD AlOx	ST-22	306
15:00～ 15:20	K219	超音波霧化法によるSiO₂, Al₂O₃絶縁薄膜の作製 (東大院工) ○(学)木下清佳・ (東大環安研セ) (正)坂井延寿・ (東大環安セ/東大院工) (正)辻佳子	insulator thin-film-transistor mist chemical vapor deposition	ST-22	135

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K 会場() ・ 第 2 日(9月25日(金))

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K 会場() ・第 2 日(9月25日(金))