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化学工学会 第50回秋季大会

講演プログラム(会場・日程別) : CD会場・第2日

講演要旨は各講演番号からリンクしています。(要ID/PW)
閲覧に必要なID/PWは受付でお配りするプログラム集冊子の1ページに記載しているほか、
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CD 会場(工学部共通棟 3F 302)第 2 日(9月19日(水))

ST-25

講演
時刻
講演
番号
講演題目/発表者キーワード分類
番号
受理
番号
ST-25 [部会横断型シンポジウム]
CVD・ドライプロセス -デバイス構造・機能制御の反応工学-
(13:00~14:00) (座長 霜垣 幸浩)
13:0013:40CD213[展望講演] 熱CVD法を用いた切削工具用硬質膜の開発と展望
(京セラ) (法)谷渕 栄仁
CVD
Cutting tool
Hard coating
ST-25468
13:4014:00CD215アルキルアルミニウムを用いたアルミナ膜の新規合成法の開発
(京大院工) ○(学·技基)中村 琢海(学)猪口 和明(学)長田 翔(京大工) (学)屋嘉比 亮(正)河瀬 元明
CVD
alkyl aluminum
alumina
ST-25882
(14:00~15:00) (座長 下山 裕介)
14:0014:20CD216熱CVD法による高Al組成fcc-TiAlN膜の合成(2)
(東大院工) ○(学)山口 潤平原 智子(京セラ) (法)久保 隼人(東大院工) (正)出浦 桃子(正)百瀬 健(京セラ) (法)谷渕 栄仁(東大院工) (正)霜垣 幸浩
CVD
TiAlN
cutting tool
ST-25561
14:2014:40CD2174H-SiC CVDトレンチ埋込成長機構及びHClガス添加効果の検討
(産総研) ○(正)望月 和浩紀 世陽足立 亘平小杉 亮治米澤 喜幸奥村 元
4H-SiC
trench filling
HCl
ST-25142
14:4015:00CD218SiC-CVIプロセスにおける表面反応過程の理論検討
(東大院工) ○(学)佐藤 登(正)中 智明(学)根藤 佳史(正)舩門 佑一(IHI) (正)福島 康之(東大院工) (正)出浦 桃子(正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
SiC
CVI
Surface Reaction
ST-25919

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