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化学工学会 第50回秋季大会

Last modified: 2018-09-04 10:00:00

講演プログラム（会場・日程別） : CD会場・第2日

講演要旨は各講演番号からリンクしています。(要ID/PW)
閲覧に必要なID/PWは受付でお配りするプログラム集冊子の1ページに記載しているほか、
事前参加登録者・ご招待者には9月4日にメールでお知らせしています。 詳細

CD 会場(工学部共通棟 3F 302) ・ 第 2 日(9月19日(水))

ST-25

講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
ST-25 [部会横断型シンポジウム]
CVD・ドライプロセス -デバイス構造・機能制御の反応工学-
(13:00～14:00) (座長 霜垣 幸浩)
13:00～ 13:40CD213[展望講演] 熱CVD法を用いた切削工具用硬質膜の開発と展望
(京セラ) (法)谷渕 栄仁
CVD
Cutting tool
Hard coating
ST-25468
13:40～ 14:00CD215アルキルアルミニウムを用いたアルミナ膜の新規合成法の開発
(京大院工) ○(学·技基)中村 琢海・ (学)猪口 和明・ (学)長田 翔・ (京大工) (学)屋嘉比 亮・ (正)河瀬 元明
CVD
alkyl aluminum
alumina
ST-25882
(14:00～15:00) (座長 下山 裕介)
14:00～ 14:20CD216熱CVD法による高Al組成fcc-TiAlN膜の合成(2)
(東大院工) ○(学)山口 潤・ 平原 智子・ (京セラ) (法)久保 隼人・ (東大院工) (正)出浦 桃子・ (正)百瀬 健・ (京セラ) (法)谷渕 栄仁・ (東大院工) (正)霜垣 幸浩
CVD
TiAlN
cutting tool
ST-25561
14:20～ 14:40CD2174H-SiC CVDトレンチ埋込成長機構及びHClガス添加効果の検討
(産総研) ○(正)望月 和浩・ 紀 世陽・ 足立 亘平・ 小杉 亮治・ 米澤 喜幸・ 奥村 元
4H-SiC
trench filling
HCl
ST-25142
14:40～ 15:00CD218SiC-CVIプロセスにおける表面反応過程の理論検討
(東大院工) ○(学)佐藤 登・ (正)中 智明・ (学)根藤 佳史・ (正)舩門 佑一・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)出浦 桃子・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
SiC
CVI
Surface Reaction
ST-25919

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化学工学会 第50回秋季大会

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