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化学工学会 第50回秋季大会

Last modified: 2018-09-04 10:00:00

講演プログラム（会場・日程別） : CD会場・第3日

講演要旨は各講演番号からリンクしています。(要ID/PW)
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CD 会場(工学部共通棟 3F 302) ・ 第 3 日(9月20日(木))

ST-25

講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
ST-25 [部会横断型シンポジウム]
CVD・ドライプロセス -デバイス構造・機能制御の反応工学-
(9:00～10:00) (座長 川上 雅人)
9:00～ 9:20CD301超臨界流体薄膜堆積による高アスペスト比構造への銅の均一製膜指針
(東大院工) ○(学)藤田 翔太郎・ (正)出浦 桃子・ (東工大院理工) (正)下山 裕介・ (東大院工) (正)霜垣 幸浩・ (正)百瀬 健
Supercritical fluid deposition
Diffusion coefficient
Kinetics
ST-25905
9:20～ 9:40CD302Supercritical dying and impregnation for fabrication of porous carbon electrode on Li-O2/CO2 battery
(東工大物質理工) ○(学)Kunanusont Nattanai・ (正)下山 裕介
Li- O2/CO2 battery
supercritical carbon dioxide
ionogel binder
ST-25685
9:40～ 10:00CD303Tetracene thin film formation for organic photovoltaics by temperature-driven supercritical fluid deposition
(東大院工) ○(学)黎 彦劭・ (正)出浦 桃子・ (東工大院理工) (正)下山 裕介・ (東大院工) (正)霜垣 幸浩・ (正)百瀬 健
Temperature-driven Supercritical Fluid Deposition
Crystallization
Tetracene
ST-251058
(10:00～11:00) (座長 野田 優)
10:00～ 10:20CD304[招待講演] グラフェンをはじめとする二次元材料のCVD成長と生成機構
(九大GIC/産総研) 吾郷 浩樹
graphene
epitaxial growth
hexagonal boron nitride
ST-2544
10:20～ 10:40CD305硫化水素添加が熱分解炭素CVDに及ぼす影響
(京大工) ○(学·技基)牧野 優作・ (正)河瀬 元明
CVD
Carbon
Hydrogen sulfide
ST-25978
10:40～ 11:00CD306CsxWO3 ナノ粒子の火炎噴霧合成と光学特性
(広大院工) ○(学)平野 知之・ 中倉 修平・ (学)Rinaldi Febrigia Ghana・ (正·修習)荻 崇
cesium tungsten bronze
flame-assisted spray pyrolysis
aerosol
ST-25113
(11:00～12:00) (座長 島田 学)
11:00～ 11:20CD307浮遊触媒形成の温度場制御と単層カーボンナノチューブの気相合成
(早大先進理工) ○(学)並木 克也・ (早大高等研) (正)杉目 恒志・ (早大先進理工) (正)大沢 利男・ (正)野田 優
single-wall carbon nanotube
reaction field control
floating catalyst chemical vapor deposition
ST-25336
11:20～ 11:40CD308ミストCVD法による高品質酸化亜鉛薄膜の作製および反応メカニズムの解明
(高知工大院) ○(学)西 美咲・ (高知工大) 長谷川 諒・ 安岡 龍哉・ (高知工大院) 上田 真理子・ 坂本 雅仁・ 佐藤 翔太・ Phimolphan Ruttongja・ Liu Li・ (高知工大院/総研) Dang. T Gian・ 川原村 敏幸
Mist CVD
ZnO
reaction mechanism
ST-25879
11:40～ 12:00CD309減圧熱CVD法で作製したリチウムドープ酸化亜鉛薄膜の比誘電率
(東海大院工) ○(学)竹元 慧・ (正)秋山 泰伸
CVD
Lithium-doped Zinc Oxide
Ferroelectric
ST-25832
(13:00～14:00) (座長 秋山 泰伸)
13:00～ 13:40CD313[展望講演] 接触分解反応による活性種を利用した薄膜堆積と表面改質:HWCVD法の基礎と応用展開
(九工大工) 和泉 亮
HWCVD
Thin film
Surface modification
ST-25243
13:40～ 14:00CD315アミノシラン系SiO2-ALDの反応速度解析
(東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ) ○(正)川上 雅人・ 加賀谷 宗仁・ 光成 正・ 佐藤 潤・ 矢部 和雄
ALD
aminosilane
reaction kinetics
ST-25226
(14:00～15:00) (座長 筑根 敦弘)
14:00～ 14:20CD316[招待講演] プラズマエッチングにおけるSiO2/Si界面準位の生成と制御
(ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング) ○長畑 和典・ 重歳 卓志
Plasma
Etching
Damage
ST-25330
14:20～ 14:40CD317RFプラズマCVDによるTiB系硬質膜の製膜と評価
(阪府大院工) ○(学)清川 大地・ (阪府大工) 冨士 和樹・ (阪府大院工) (正)岡本 尚樹・ (正)齊藤 丈靖
hard coating
plasma CVD
TiBCN
ST-25937
14:40～ 15:00CD318Ag粒子とTiO2粒子の堆積で作製した複合薄膜の可視光照射下での光触媒活性
(広大院工) ○(学·技基)正木 佑弥・ 姜 殿平・ (正)久保 優・ (正)島田 学・ (広大院工/ITS Surabaya) (正)Kusdianto K.
PVD
PECVD
nanoparticle
ST-25576

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化学工学会 第50回秋季大会

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